[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-E201-2] β-Ga₂O₃の積層欠陥 I. すべり系と部分転位

〇山口 博隆¹ (1.産総研)

キーワード：すべり系、部分転位、酸化ガリウム

β-Ga₂O₃のすべり系を考察し、(-201)面における部分転位の可能性について議論する。