[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20a-E201-4] HVPE (001) b-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードのリーク電流と結晶欠陥との関係

〇(B)片桐 英鉄¹、森林 朋也¹、佐々木 公平^2,3、川崎 克己⁴、平林 潤⁴、倉又 朗人^2,3、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.タムラ製作所、4.TDK)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、結晶評価