[20a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-E202-3] GaNの二光子励起フォトルミネッセンス測定における自己吸収の影響

〇谷川 智之¹、小島 一信²、秩父 重英²、松岡 隆志¹ (1.東北大金研、2.東北大多元研)

キーワード：GaN、二光子励起フォトルミネッセンス、アーバックテール

GaN結晶の二光子励起フォトルミネッセンス（2PPL）測定を行い、励起深さと発光スペクトル形状の比較から、発光スペクトルの自己吸収の影響を調べた。2PPLスペクトルの高エネルギー側の傾きは、励起位置が深いほど顕著に減少した。吸収端に相当する3.4 eV以下の3.3 ~ 3.4 eVにおいてもは高強度が顕著に減少し、バンドのアーバックテールに起因した自己吸収が発光スペクトルの形状に影響を及ぼすことが分かった。