[20a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-E202-4] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価

〇角谷 正友¹、福田 清貴^1,2、上田 茂典¹、浅井 祐哉^1,3、Cho Yujin¹、関口 隆史¹、上殿 明良³、尾沼 猛儀²、Sang Liwen¹、山口 智広²、本田 徹² (1.物材機構、2.工学院大、3.筑波大)

キーワード：ギャップ内準位、光熱偏向分光法、硬ｘ線光電子分光

III-V族窒化物を用いた電子・受光デバイスの特性や信頼性向上のためには、価電子帯構造やバンドギャップ内準位を評価し、欠陥との相関を明らかにすることが重要である。本研究では、GaNバルク、ならびにバルク・サファイア基板上に成長したGaN薄膜を硬x線光電子分光法と光熱偏向分光法で評価し、価電子帯上端近傍の状態密度やバンドギャップ内の深い準位欠陥を検出したので報告する。