Evaluation of ion implanted GaN by photothermal deflection spectroscopy

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

Tue. Mar 20, 2018 9:00 AM - 11:45 AM E202 (57-202)

Ryota Ishii(Kyoto Univ.), Tomoyuki Tanikawa(Tohoku Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

〇Kiyotaka Fukuda^1,2, Takeyoshi Onuma², Tomohiro Yamaguchi², Tohru Honda², Hideo Iwai¹, Liwen Sang¹, Masatomo Sumiya¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:GaN, ion implanted, Photothermal Deflection Spectroscopy

イオン注入されたGaNのアニール前後を光熱偏向分光法(PDS : Photothermal Deflection Spectroscopy)によって評価を行ったので報告する。