[20a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-E202-5] イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価

〇福田 清貴^1,2、尾沼 猛儀²、山口 智広²、本田 徹²、岩井 秀夫¹、Sang Liwen¹、角谷 正友¹ (1.物質材料研究機構、2.工学院大学)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、光熱偏向分光法

イオン注入されたGaNのアニール前後を光熱偏向分光法(PDS : Photothermal Deflection Spectroscopy)によって評価を行ったので報告する。