[20a-F214-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[20a-F214-9] Evaluation of Anisotropic lattice parameters of Ge_1-xSn_x Mesa Structures by Reciprocal Space Mapping

〇Ichiro Hirosawa¹, Tatsumi Murakami², Kohei Suda², Yuki Takahashi², Kazutoshi Yoshioka², Ryo Yokogawa^2,3, Atsushi Ogura² (1.JASRI, 2.Meiji Univ., 3.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:semiconductor, strain, reciprocal space mapping

メサ構造をしたSn濃度3.2%のGe_1-xSn_x/Ge(001)膜について115及び-115近傍の逆格子空間マッピングの測定を行った結果、Ge_1-xSn_x膜の長辺方向の格子面間隔はGe基板と一致する一方、短辺方向はGe基板よりも大きな格子面間隔となり、メサ構造を反映して膜の格子面間隔も異方的になることが明らかになった。