[20a-P5-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-P5-1] Atomic and Electronic Structures of K impurities in SiO₂

〇Takeshi Miyajima¹, Hiroki Shirakawa¹, Masaaki Araidai^2,1, Kenji Shiraishi^2,1 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:first-principles calculation, SiO2, Potassium

MOSFETにおいて、NaやKは金属汚染として知られる。一方、近年では絶縁体中の金属原子を機能的に利用するデバイスの研究も行われている。振動型MEMS発電デバイスの固体イオンエレクトレットの作成にはSiO₂中に混入したカリウム原子が利用されているが、その原理は分かっていない。本研究では、密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて、カリウム原子が混入した際のSiO₂を解析し、エレクトレットの原理を明らかにする。