[20a-P5-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-P5-10] ゲートに圧電高分子P(VDF-TrFE)を用いたFETの静特性評価

〇(B)岡山 琢哉¹、山本 堅太郎¹、宝田 隼¹、古川 昭雄¹ (1.東京理科大学)

キーワード：P(VDF-TrFE)