[20a-P5-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-P5-7] Fabrication of Ca²⁺ doped HfO₂ ferroelectric thin films by chemical solution deposition

〇Shuhei Nakayama¹, Hiroshi Funakubo², Hiroshi Uchida¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:hafnium oxide, chemical solution deposition, ferroelectrics

非ペロブスカイト型結晶構造を有する新規強誘電体材料として蛍石型結晶構造からなるHfO₂基固溶体極薄膜の利用が近年注目されている。本研究では、添加イオン半径と強誘電性の相関性を更に検証するためイオン半径90 pm近傍で最も大きな残留分極の発現が確認されているY³⁺とイオン半径が比較的に類似するCa²⁺(100 pm)を添加したHfO₂薄膜を化学溶液堆積法により作製し、その強誘電特性を評価した。