[20a-P9-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[20a-P9-3] Cat-CVDで形成した極薄SiN_x膜のパッシベーション性能(2)

〇(M2)宋 昊¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Cat-CVD、窒化シリコン

触媒化学気相堆積(Cat-CVD)で堆積したn-a-Si/極薄 SiN_xパッシベーション膜について、n-a-Si層厚がパッシベーション性能に及ぼす影響を調査した。n-a-Siの膜厚の増加に伴い、試料の実効少数キャリア寿命が増加し、10 nm付近で ~1 ms程度の最大値が出現し、その後飽和する傾向が確認された。SiN_x膜が無い比較試料のキャリア寿命50 µs程度と比べて高い値が得られており、極薄SiN_x膜も高いパッシベーション性能の実現に寄与している。