[20a-P9-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[20a-P9-4] Cat-CVD SiN_​x膜での微細テクスチャ結晶Si表面パッシベーションの特性改善

〇劉 静¹、大八木 伸²、山本 裕三²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.攝津製油)

キーワード：結晶Si太陽電池,、SiNx, RCA洗浄, Cat-CVD,、微細テクスチャー

1-2 µmの微細なテクスチャー構造を持つ結晶Si表面に対するRCA洗浄工程の改良による、Cat-CVD SiN_​x膜のパッシベーション能力の改善を試みた。RCA洗浄を複数回行ったテクスチャー結晶Si上に、屈折率~2.0、膜厚~100 nmのSiN_x膜をCat-CVDで堆積し、窒素雰囲気350 °Cでのポストアニールを行うことで、2.8 msを超える実効少数キャリア寿命を得た。