[20p-C304-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [20p-C304-10] 分子動力学シミュレーションによるIV族混晶のフォノン物性の起源の調査

〇(PC)富田 基裕^1,2、小笠原 成崇¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員PD)

キーワード：分子動力学、IV族混晶、フォノン

IV族混晶における熱伝導率低下は異なる質量の原子によるフォノンの質量散乱が大きな原因とされている。分子動力学(MD)計算では、元素の質量と原子間相互作用の違いの両者が考慮され、熱伝導率低下の主原因が元素質量にあるのか、原子間相互作用の違いも影響しているのか検証できていない。本報告では、原子量と相互作用ポテンシャルを独立に変化させた仮想系の計算を実施し、混晶のフォノン物性の起源を詳しく調査した。