[20p-C304-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[20p-C304-9] マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索

〇高橋 憲彦¹、劉 宇¹、金田 千穂子¹ (1.富士通研)

キーワード：Si/Ge積層構造、熱伝導率、フォノン

Si層とGe層の積層周期および比率を変化させた複数のSi/Geモデル積層構造に対して、フォノンモード計算によりParticipation Ratio(P値)の積層方向成分Pzを求め、分子動力学法により計算した積層方向の熱伝導率との相関を調べた。Pzは熱伝導率と強い相関を持っており、周期の異なる構造を含む場合においてもP値を用いた低熱伝導率Si/Ge積層構造の予測が可能である。