[20p-D103-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-D103-1] Relationship between interface defect density and grown wet-oxide thickness in 4H-SiC MOS structure fabricated with low-temperature wet-oxidation after interface nitridation

〇Ryota Sakuta¹, Mizuki Nishida¹, Hihohisa Hirai¹, Koji Kita¹ (1.Tokyo Univ.)

Keywords:silicon carbide, Metal oxide semiconductor interface, nitridation

SiC/SiO2界面への窒化処理ではSiC表面に固定される窒素量がDit低減に重要だが、過剰なNは界面を劣化させる可能性があり，N導入だけで界面品質を最適化するのは容易ではない。そこで、ドライ酸化後に界面特性向上の別な手法のウェット酸化で、N導入後にも残留する欠陥を修復できれば、両者の組み合わせでDitを最小化できる可能性がある。そこで、N導入後にウェット酸化を行った際のDitを調べ、これらのプロセスが独立に働くかを検討した。