[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-D103-1] 窒化処理後に低温ウェット酸化処理をした4H-SiC MOS構造における界面準位密度とウェット酸化膜成長量の関係性

〇作田 良太¹、西田 水輝¹、平井 悠久¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC（炭化ケイ素）、MOS界面、窒化処理

SiC/SiO2界面への窒化処理ではSiC表面に固定される窒素量がDit低減に重要だが、過剰なNは界面を劣化させる可能性があり，N導入だけで界面品質を最適化するのは容易ではない。そこで、ドライ酸化後に界面特性向上の別な手法のウェット酸化で、N導入後にも残留する欠陥を修復できれば、両者の組み合わせでDitを最小化できる可能性がある。そこで、N導入後にウェット酸化を行った際のDitを調べ、これらのプロセスが独立に働くかを検討した。