[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-D103-11] SiC-MOSFETのPBTストレス後回復の温度依存性

秋好 徹¹、原田 優介¹、福田 竜也¹、〇村上 英一¹ (1.九産大工)

キーワード：SiC-MOSFET、PBTI、トンネリングフロントモデル

SiC-MOSFETのPBTストレス後の回復現象に関して、ストレス時の温度と回復時の温度を独立に変化させて検討した。回復時温度が高いほど回復は速く、熱活性化過程が関連している。また、ストレス時温度が高いほど回復しにくくなり、高温ストレスで電子捕獲状態がより安定化していることが分かった。さらに、log(t)依存性を説明し、活性化エネルギーを見積もるため、トンネリングフロントモデルによる検討も試みた。