[20p-D103-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-D103-2] Difference of the effect on interface properties between NO-POA and wet-POA
in terms of NIT evaluated by photo-assisted CV measurement

〇Mizuki Nishida¹, Ryota Sakuta¹, Hirohisa Hirai¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:MOS, interface state, SiC

SiC MOSFETのチャネル移動度や信頼性は改善されつつあるものの未だ十分でなく、さらなる界面及びその近傍の特性の向上は不可欠であると考えられる。界面特性向上の技術としてNO-POAやwet-POAが知られているがその効果が独立して適用できるかは明らかでない。本研究では特にNO後にwet-POAを行った場合のDit,NITs及びチャネル移動度の観点で調査を行った。両者が異なる界面欠陥低減効果を有することを示唆する結果が得られ、DitやNITsの最適化が可能と考えられる。