[20p-D103-1~14] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-D103-9] Tensor-resolved stress analysis method for 4H-SiC power devices via FEM and Raman spectroscopy

〇(D)Hiroki Sakakima¹, Asuka Hatano¹, Akihiro Goryu², Kenji Hirohata², Satoshi Izumi¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.Toshiba)

Keywords:4H-SiC, Raman Spectroscopy, Power Devices

4H-SiCパワーデバイスの応力を適切に評価するためには，ラマン分光法のみではなくFEMによる応力解析が必要となる．本研究では，温度条件，物性値，真性応力を用いたFEM解析による応力解析を実施し，応力テンソルをフォノン振動数変化へと変換しラマン分光法での測定結果と比較することにより妥当性確認を行う応力解析手法の開発を行った．また，解析の高精度化のためSiC上に作成される薄膜の物性値及び真性応力の測定を実施した．