[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-D103-9] FEM及びラマン分光法による4H-SiCパワーデバイスの応力テンソル解析技術の開発

〇(D)榊間 大輝¹、波田野 明日可¹、牛流 章弘²、廣畑 賢治²、泉 聡志¹ (1.東大工、2.(株)東芝)

キーワード：4H-SiC、ラマン分光法、パワーデバイス

4H-SiCパワーデバイスの応力を適切に評価するためには，ラマン分光法のみではなくFEMによる応力解析が必要となる．本研究では，温度条件，物性値，真性応力を用いたFEM解析による応力解析を実施し，応力テンソルをフォノン振動数変化へと変換しラマン分光法での測定結果と比較することにより妥当性確認を行う応力解析手法の開発を行った．また，解析の高精度化のためSiC上に作成される薄膜の物性値及び真性応力の測定を実施した．