[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-E201-4] HVPEによるα-Ga₂O₃の選択横方向成長

〇大島 祐一¹、河原 克明²、神野 莉衣奈³、四戸 孝²、人羅 俊実²、嘉数 誠⁴、藤田 静雄³ (1.物材機構、2.FLOSFIA、3.京大院工、4.佐賀大院工)

キーワード：酸化ガリウム、HVPE

HVPEによるα-Ga₂O₃の選択横方向成長について報告する。基板上に通常のフォトリソグラフィでミクロンスケールのSiO₂マスクを形成し、その上にHVPEでα-Ga₂O₃を成長させた。TEM観察の結果、横方向成長部にはマスク開口部からの転位の伝播が見られず、大幅な高品質化が可能なことがわかった。