[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-E201-6] Mist-CVD法によるsapphire基板上α-Ga₂O₃の横方向選択成長

〇(B)吉村 暢浩¹、神野 莉衣奈²、金子 健太郎²、藤田 静雄² (1.京大工、2.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、横方向選択成長

α酸化ガリウムは、超ワイドバンドギャップ半導体材料の1つであり、次世代パワーデバイスの材料として近年注目を集めている。α酸化ガリウムは同じcorundum構造を有するsapphire基板上に成長可能であるが、格子ミスマッチは4.6%と大きく、sapphire基板上に成長したα酸化ガリウム薄膜中の貫通転位密度は7×10¹⁰ cm^-2と非常に高い。転位は、転位散乱による低移動度や、リークおよび破壊の原因となるためデバイス応用には転位密度の低減が求められる。本研究では、α酸化ガリウムの転位密度低減を目的にsapphire基板上での横方向選択成長を行った。