[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-E201-7] ミストCVD法によるc面サファイア基板上へのε-Ga₂O₃薄膜成長におけるNiOバッファ層の効果

〇(B)新田 悠汰¹、田原 大祐¹、森本 尚太¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD法、超ワイドバンドギャップ半導体

本研究では、ミストCVD法により立方晶材料であるNiOをバッファ層として導入し、c面サファイア基板上におけるε-Ga₂O₃薄膜の成長制御を試みたので報告する。