[20p-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-E201-8] Epitaxial growth of ε-(Al_xGa_1-x)₂O₃ alloy films on c-plane AlN templates
by mist chemical vapor deposition.

〇Daisuke Tahara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Shota Morimoto¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Wide band gap semiconductor, Band gap engineering

酸化ガリウム(Ga₂O₃)半導体は、GaN やSiC を上回る大きなバンドギャップを持ち、次世代の半導体材料として高耐圧デバイス応用が期待されている。本研究室では、GaNやAlNなどと同じ六方晶系の結晶構造を有する準安定相ε-Ga₂O₃ に注目している。本発表では、六方晶系の結晶構造を有するε-(Al_xGa_1-x)₂O₃のAlNテンプレート基板上への結晶成長にミストCVD法を用いて成功したことについて報告する。