[20p-E201-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-E201-7] Effect of NiO buffer layers on ε-Ga₂O₃ epitaxial growth on c-plane sapphire by mist chemical vapor deposition

〇(B)Yuta Arata¹, Daisuke Tahara¹, Shota Morimoto¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:gallium oxide, mist CVD method, ultra wide band gap semiconductor

本研究では、ミストCVD法により立方晶材料であるNiOをバッファ層として導入し、c面サファイア基板上におけるε-Ga₂O₃薄膜の成長制御を試みたので報告する。