[20p-F214-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[20p-F214-9] Epitaxial growth of SiGe layer on Si substrate by printing and firing of Al-Ge mixed paste

〇(M1)Shogo Fukami¹, Shota Masuda¹, Yoshihiko Nakagawa¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Marwan Dhamrin², Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyo Aluminium)

Keywords:SiGe, Liquid phase epitaxial growth, XRD-RSM

SiGeはGeの添加比率によりバンドギャップを0.66～1.1evの範囲で自在に制御でき、多接合型太陽電池のボトムセル等への利用が期待される。Si基板上にSiGe層を成長させる低コストかつ単純なプロセスとして、AlによるGe及びSiの融点降下現象を利用した液相エピタキシャル成長に注目した。本研究では、Si(100)基板上に、Al-Ge混合ペーストをスクリーン印刷した試料に対し、様々な条件で熱処理を行うことでSiGe 層のエピタキシャル成長への影響を調査した。