[20p-F214-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[20p-F214-9] Al-Ge混合ペーストの印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長

〇(M1)深見 昌吾¹、増田 翔太¹、中川 慶彦¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、ダムリン マルワン²、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.東洋アルミ)

キーワード：SiGe、液相エピタキシャル成長、X線回折逆格子マッピング

SiGeはGeの添加比率によりバンドギャップを0.66～1.1evの範囲で自在に制御でき、多接合型太陽電池のボトムセル等への利用が期待される。Si基板上にSiGe層を成長させる低コストかつ単純なプロセスとして、AlによるGe及びSiの融点降下現象を利用した液相エピタキシャル成長に注目した。本研究では、Si(100)基板上に、Al-Ge混合ペーストをスクリーン印刷した試料に対し、様々な条件で熱処理を行うことでSiGe 層のエピタキシャル成長への影響を調査した。