[20p-P4-1~40] 8 プラズマエレクトロニクス（ポスター）

[20p-P4-9] 水素原子源付プラズマCVD法に任意電圧波形を併用したa-C:H薄膜の堆積

〇古閑 一憲¹、山木 健司¹、方 トウジュン¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、板垣 奈穂¹、白谷 正治¹ (1.九大シス情)

キーワード：a-C:H、プラズマCVD、フォトレジスト

硬質a-C:Hを用いたフォトレジスト保護膜の実現のため、水素原子源付プラズマCVD法に任意電圧波形を併用した薄膜堆積結果について報告する。任意電圧波形を用いて膜へのイオンエネルギーが増加し、膜密度が増加した。この結果は任意電圧波形により膜質を制御出来る事を示唆している。