[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-13] Si基板上GaN層の応力に対するAlN中間層の成長温度依存性

〇(B)有井 知良¹、中原 拓也²、出浦 桃子²、百瀬 健²、杉山 正和³、中野 義昭²、霜垣 幸浩² (1.東大工、2.東大院工、3.東大生産研)

キーワード：GaN on Si、AlN中間層

Si基板上のGaN成長において、AlN中間層によりGaN層成長中に圧縮応力を印加し、SiとGaNの熱膨張係数差により冷却時に発生する引張応力を緩和するのが有効である。本研究では、GaNの圧縮応力印加に対するAlN中間層の成長温度依存性を調べた。成長温度が高いとAlNがグレイン構造からステップ構造になり平滑な表面が得られるため、GaNにかかる圧縮ひずみが大きく成長に伴う減少率が小さいことが分かった。