[20p-P6-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-P6-14] InAlN/AlN/GaN HEMT Grown on 200 mm Si Substrate by Fast Rotating Single-Wafer MOCVD Tool

〇Masayuki Tsukui¹, Hajime Nago¹, Kiyotaka Miyano¹, Yasushi Iyechika¹, Hideshi Takahashi¹ (1.NuFlare Technology)

Keywords:InAlN, HEMT, MOCVD/MOVPE

GaNデバイスの低コスト化の実現に向けて、200mmまでの基板に対応した枚葉式高速回転MOCVD装置を開発した。今回、高周波デバイスとして注目されているInAlN/AlN/GaN HEMT構造について200mm Si基板上での成膜特性を調べた結果、高い面内均一性と良好な2DEG特性が得られた。直径方向のシート抵抗分布は209±4ohm/sq.であった。また、InAlN中へのGaの混入も1000ppm未満に抑えられていることを確認した。