[20p-P6-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-P6-15] Growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure by MOCVD

〇Tokio Takahashi¹, Guanxi Piao², Yoshiki Yano², Toshiya Tabuchi², Koh Matsumoto², Toshihide Ide¹, Mitsuaki Shimizu¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:InAlN, HEMT, MOCVD

InAlNはIn比約18%でGaNと格子整合し、InAlN/GaN からなるHEMT構造は高周波領域（100GHz～）での大電流動作が期待されている。さらに AlN薄膜を挟んだInAlN/AlN/GaN構造にすることは合金散乱を減少させるうえで有効であり、その界面品質は重要である。本研究ではサファイア基板上にInAlN/AlN/GaN HEMT構造をMOCVD装置により作成し、その特性を調べた。