13:30 〜 15:30 [20p-P6-15] MOCVDを用いたInAlN/AlN/GaNヘテロ構造の成長 〇高橋 言緒1、朴 冠錫2、矢野 良樹2、田渕 俊也2、松本 功2、井手 利英1、清水 三聡1、奥村 元1 (1.産総研、2.大陽日酸)