13:30 〜 15:30 [20p-P6-14] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上InAlN/AlN/GaN HEMTの成膜特性 〇津久井 雅之1、名古 肇1、宮野 清孝1、家近 泰1、高橋 英志1 (1.ニューフレアテクノロジー)