[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-2] アルミニウム被覆 InGaN/GaN 系量子井戸の表面プラズモン発光増強に対する顕微フォトルミネセンスマッピング

〇(D)立石 和隆¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹、玉田 薫¹ (1.九大先導研、2.京大院工)

キーワード：InGaN/GaN系量子井戸、表面プラズモン、アルミニウム

本研究グループは InGaN/GaN 系量子井戸表面(QW)にアルミニウム薄膜を製膜する ことにより、アルミニウム上の表面プラズモンによって光吸収効率が向上し、その結果 著しい発光増強効果が得られることを報告した 。今回はアルミニウム上の SP による増強 を伴う発光過程において、InGaN/GaN QW の In 組成の揺らぎに起因する特性である励起 子局在効果、及び量子閉じ込めシュタルク効果が SP から受ける影響について、顕微 PLマッピングから得られた知見について報告する。