[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-20] 放射光X線トポグラフィ、ラマンマッピングおよびエッチピット法によるAlNバルク単結晶の評価

〇姚 永昭¹、石川 由加里¹、菅原 義弘¹、岡田 成仁²、井本 良²、只友 一行²、高橋 由美子³、平野 馨一⁴ (1.JFCC、2.山口大院、3.日本大、4.高エネ研)

キーワード：窒化アルミ、転位、X線トポグラフィ

窒化アルミ(AlN)は深紫外LEDや超高電力密度パワー素子用材料として期待されているが、バルク単結晶の作製が困難であるため、欠陥評価は進んでいない。本研究は、結晶欠陥、特に広い範囲にわたる貫通転位の分布を注目し、放射光X線トポグラフィ（XRT）、ラマンマッピングおよびエッチピット法を用い、AlNバルク単結晶の欠陥評価を行った。