[20p-P6-1~29] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-P6-22] Stable Surface Structures of GaN Under OVPE Growth Conditions and Desorption Energy of Oxygen Impurities

〇Takahiro Kawamura^1,2, Akira Kitamoto², Mamoru Imade², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori², Yoshitada Morikawa², Yoshihiro Kangawa³, Koichi Kakimoto³ (1.Mie Univ., 2.Osaka Univ., 3.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:GaN, first-principles calculation

OVPE法によるGaN成長ではO不純物量の制御が課題となっており，O原子種を考慮したGaN成長過程の理解が求められている．その一環として本研究では第一原理計算を用いてOVPE成長条件下におけるGaN極性面、非極性面、半極性面の表面構造の比較を行った．また，各表面からのO不純物の脱離エネルギーを求め，その結果からO不純物の取り込みに関する面方位依存性について考察した．