[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-22] OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析

〇河村 貴宏^1,2、北本 啓²、今出 完²、吉村 政志²、森 勇介²、森川 良忠²、寒川 義裕³、柿本 浩一³ (1.三重大院工、2.阪大院工、3.九大応力研)

キーワード：窒化ガリウム、第一原理計算

OVPE法によるGaN成長ではO不純物量の制御が課題となっており，O原子種を考慮したGaN成長過程の理解が求められている．その一環として本研究では第一原理計算を用いてOVPE成長条件下におけるGaN極性面、非極性面、半極性面の表面構造の比較を行った．また，各表面からのO不純物の脱離エネルギーを求め，その結果からO不純物の取り込みに関する面方位依存性について考察した．