[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-23] GaN層の表面状態に関する検討(Ⅲ)

〇水野 愛¹、鈴木 礼央¹、吉村 翼¹、渡邊 渉¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大学工)

キーワード：GaN層、X線光電子分光法、昇温脱離ガス分析法

これまで我々は，GaN層表面におけるO成分の熱脱離や結合状態について検討を行ってきた．今回，昇温脱離ガス分析法(TDS)およびX線光電子分光法(XPS)を用いて，大気暴露の時間経過に対すGaN層表面の変化について検討した．