10:45 〜 11:00 [19a-E301-5] 低転位密度GaN基板によるp-n接合ダイオードのオン抵抗低減効果 〇太田 博1、浅井 直美1、吉田 丈洋2、堀切 文正2、成田 好伸2、三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス)