16:45 〜 17:00 [18p-E207-10] フラックス法による2D 半導体 GaSe の結晶成長とその SHG 特性評価 〇渡辺 克也1、佐藤 陽平1、唐 超1、大崎 淳也1、田邉 匡生1、小山 裕1 (1.東北大工)