13:30 〜 15:30 [19p-PB3-21] 水素イオン注入n-GaNに誘起された正孔トラップの熱処理効果 〇(M2)伊藤 俊1、徳田 豊1、塩島 謙次2、伊藤 成志3、八木 孝秀3 (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重アテックス)