古林寛

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発表者・著者、共著者

2019年9月21日(土) 09:00 〜 11:15 B31 (B31)

一般セッション(口頭講演)
| 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B31-1~8] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:30 〜 10:45

[21a-B31-6] Sn 添加 In₂O₃ 非晶質薄膜における結晶化その場観察

〇古林寛¹、小林信太郎²、前原誠³、北見尚久^1,3、酒見俊之³、稲葉克彦²、山本哲也¹ (1.高知工科大、2.(株)リガク、3.住友重機械工業 (株))

10:45 〜 11:00

[21a-B31-7] 反応性プラズマ蒸着法により成膜した W 添加 In₂O₃ 極薄膜における高 Hall 移動度

〇古林寛¹、前原誠²、北見尚久^1,2、酒見俊之²、山本哲也¹ (1.高知工科大、2.住友重機械工業 (株))