14:30 〜 14:45 [18p-B11-6] ZnSnO/SiGe積層構造を用いたn-およびp-TFETの動作実証 〇加藤 公彦1,2、Jo Kwangwon2、松井 裕章2、田畑 仁2、森 貴洋1、森田 行則1、松川 貴1、竹中 充2、高木 信一2 (1.産総研、2.東大院工)