村瀬幹生

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発表者・著者、共著者

2019年9月21日(土) 13:45 〜 16:00 C309 (C309)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.1 強誘電体薄膜

[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

14:15 〜 14:30

[21p-C309-3] TiNバッファ層を用いたSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長の検討

〇村瀬幹生¹、岡本直樹¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)