12:00 〜 12:15 △ [20a-E301-12] Al2O3/p-GaN MOS構造に対する熱処理の効果 〇古川 暢昭1、上沼 睦典1、Kotzea Simon2、石河 泰明1、Vescan Andrei2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.アーヘン工科大)