16:30 〜 16:45 △ [18p-N302-13] ノーマリーオフAl2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTのAl2O3膜厚によるしきい値制御 〇(M2)河端 晋作1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、山本 暠勇1、葛原 正明1 (1.福井大院工)