11:45 〜 12:00 [18a-C212-11] CZ-Si単結晶育成におけるポリシリコン溶解工程の昇温速度と結晶炭素濃度の関係 〇高橋 一真1、坪田 寛之1、永井 勇太1、安部 吉亮1、松村 尚1 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)