10:00 〜 10:15 △ [18a-E304-3] レーザーアニール法による低温多結晶Si薄膜の表面平坦化及びトランジスタの作製と評価 〇(M1)濱野 史暢1、妹川 要1,2、中村 大輔1、後藤 哲也3、池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)