09:30 〜 11:30 [18a-PB3-42] 高濃度GaN:Geスパッタ薄膜を用いたトンネル接合LEDの作製 〇藤原 慎二郎1、白井 雅紀2、高澤 悟2、関口 寛人1,3 (1.豊橋技科大、2.(株)アルバック、3.さきがけ)