13:15 〜 13:30 [18p-B31-1] 2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離 〇小島 信晃1、Wang Yu-Cian1、川勝 桂1、山本 暠勇1、大下 祥雄1、山口 真史1 (1.豊田工大)